硅片隱裂 檢測介紹
隱裂是指硅片表面或內部存在微裂紋或裂痕,這些裂紋在裸眼或常規光學顯微鏡下難以觀察到,但會對硅片的性能和穩定性產生不利影響。中科檢測可提供硅片隱裂檢測服務,檢測報告具備CMA資質。
硅片隱裂 檢測方法
1. 暗場散射法:入射光被硅片表面反射,若硅片存在微裂紋缺陷,則入射光在微裂紋區域的散射會加強。在暗室環境中,通過成像系統對硅片成像并分析散射光強的分布即可識別出硅片中的微裂紋缺陷。
2. 明場透射法:入射光透射過硅片表面,若硅片存在微裂紋缺陷,則微裂紋區域的透射光強較正常區域低,通過成像系統對硅片成像并分析透射光強的分布即可識別出硅片中的微裂紋缺陷
硅片隱裂 測試環境
溫度:18 ℃~35 ℃,且應保持恒溫
濕度:相對濕度≤65%
潔凈度:不低于8級潔凈室
硅片隱裂檢測 檢測標準
SJT 11632-2016 太陽能電池用硅片微裂紋缺陷的測試方法
GB/T 14264 半導體材料術語
GB/T 25074 太陽能級多晶硅
GB/T 25076 太陽電池用硅單晶
硅片隱裂檢測 服務優勢
實力保障:國科控股旗下獨立第三方檢測機構
周期更短:5-10個工作日可出具檢測報告
優質服務:工程師1對1服務,全程項目跟進
技術先進:科研院所技術沉淀,先進儀器設備
嚴謹公正:公正、科學、準確、高效
多家分部:接受全國上門取樣/寄樣服務
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