硅外延片檢測

硅外延片檢測

硅外延片是指在硅單晶襯底上外延生長一層或多層硅單晶薄膜的材料，主要用于制造半導體分立器件和集成電路。中科檢測可提供硅外延片檢測服務，檢測報告具備CMA資質。
我們的服務 電子電氣 硅外延片檢測

硅外延片 檢測介紹

硅外延片是指在硅單晶襯底上外延生長一層或多層硅單晶薄膜的材料，主要用于制造半導體分立器件和集成電路。根據襯底片的摻雜濃度不同，硅外延片分為輕摻雜襯底外延片和重摻雜襯底外延片。輕摻雜襯底外延片通過生長高質量的外延層，可以提高CMOS柵氧化層完整性、改善溝道漏電、提高集成電路可靠性；而重摻雜襯底外延片結合了重摻雜襯底片和外延層的特點，在保證器件反向擊穿電壓的同時又能有效降低器件的正向功耗。中科檢測可提供硅外延片檢測服務，檢測報告具備CMA資質。


硅外延片 檢測項目

晶向、電阻率及徑向電阻率變化、厚度及徑向厚度變化、晶體完整性、表面金屬、質量等


硅外延片 檢測標準

GB∕T 14139-2019 硅外延片

GB/T 1550 非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T 1555 半導體單晶晶向測定方法

GB/T 2828.1-2012 計數抽樣檢驗程序第1部分:按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T 6617 硅片電陽率測定擴展電陽探針法

GB/T 6624 硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T 12964 硅單晶拋光片

GB/T 13389 摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程

GB/T 14141 硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T 14142 硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T 14146 硅外延層載流子濃度測定，汞探針電容-電壓法

GB/T 14264 半導體材料術語

GB/T 14844 半導體材料牌號表示方法

GB/T 14847 重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T 19921 硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T 24578 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法

YS/T 28  硅片包裝


硅外延片檢測 服務優勢

資質齊全：中科檢測具備市場監管局授權的CMA資質以及中國合格評定委員會認可的CNAS資質。

服務網絡：中科檢測全國實驗室遍布，為您提供全面完善的一站式整體技術解決方案。

專業實驗室：中科檢測擁有10000余平方米專業檢測實驗室，配備各領域檢測專用高精端進口儀器萬余合／套。

權威機構：中科檢測是國科控股旗下獨立第三方檢測機構，為各種公司、機關事業單位、司法機關等量身提供檢驗檢測。