SiC器件檢測

SiC器件檢測

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業的基石。中科檢測能提供專業的SiC器件檢測服務，出具的SiC器件檢測報告。
我們的服務 電子電氣 SiC器件檢測

SiC器件 檢測背景

SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
 在半導體工業中，硅是第一代基礎材料。目前，世界上95%以上的集成電路元件都是以硅為襯底制造的。目前，隨著電動汽車和5G等應用的發展，對大功率、高電壓、高頻器件的需求正在快速增長。
中科檢測能提供專業的SiC器件檢測服務，出具的SiC器件檢測報告。

SiC器件 檢測范圍

（1）碳化硅肖特基二極管
（2）碳化硅功率晶體管

SiC器件 檢測項目

可靠性試驗：
低溫試驗、高溫試驗、濕熱試驗、快速溫變試驗、振動（正弦）試驗、三綜合（振動+溫濕度環境）試驗、隨機振動試驗、低頻振動試驗、高頻振動試驗、沖擊試驗試驗、防塵防水試驗、氣體腐蝕試驗（二氧化硫、硫化氫、二氧化氮、氯氣）
電性能測試：
接觸電阻測試、絕緣電阻測試、泄漏電流測試、電阻率/導電率測試、導體電阻測試

SiC器件 檢測標準

GB/T 5095.2.1997 電子設備用機電元件基本試驗規程及測量方法 第2部分：一般檢查、電連續性和接觸電阻測試、絕緣試驗和電壓應力試驗
IEC 60068-2-42:2003 環境試驗 第2-42部分:試驗 試驗Kc：觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.19-2013 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Kc：接觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.22-2012 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗N：溫度變化
GB/T 2423.27-2020 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗方法和導則：溫度/低氣壓或溫度/濕度/低氣壓綜合試驗
GB/T 2423.33-2021 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Kca：高濃度二氧化硫試驗
GB/T 2423.34-2012 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Z/AD：溫度/濕度組合循環試驗
GB/T 2423.61-2018 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗和導則：大型試件砂塵試驗
GB/T 2423.63-2019 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗：溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(混合模式)綜合
GB/T 2423.38-2021 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗R：水試驗方法和導則